Photoluminescence characteristics of Zn1-xMgxO films
Zn1-xMgxO薄膜的光致发光特性研究

采用脉冲激光沉积方法在单晶Si（100）衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜，通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果表明，Mg含量增加，Zn1-xMgxO单晶薄膜的紫外发光峰蓝移，发光峰强度减弱，缺陷发光强度增强.同时发现，由于Mg的掺杂，引入了一些束缚能较大的局域束缚态.对于氧气氛下制备的样品，实验发现紫外峰和绿光带发光峰同时增强，但是R值减小，紫外峰红移.对绿光发光机理研究发现，绿光发光带主要与锌空位、氧间隙（Oi）或锌位氧（OZn）等缺陷有关，它是由多个缺陷发光峰组成，各缺陷发光峰强度相对变化导致了绿光发光带的整体移动.