Calculation of field enhancement factor of gated nanowire
栅极调制纳米线的场增强因子计算

利用悬浮球模型和镜像电荷法计算了栅极调制纳米线的顶端表面电场，给出了场发射增强因子表达式β=1/2（3.5+L/r0+W），式中L与r0分别是纳米线长度与顶端表面曲率半径，W是由栅孔半径R、阴极与栅极间距d以及纳米线自身几何参数所决定的函数．结果表明，纳米线长径比对场增强因子的影响很显著；当阴极与栅极间距较近时，场增强因子随d的增加而减小