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物理学报 2010
Infrared spectroscopic ellipsometry studies of ion-implanted and annealed silicon wafers
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Abstract:
离子注入硅片经高温退火后晶体结构缺陷会被修复，其在可见光波段下的光学性质趋于单晶硅，常规的可见光椭偏光谱法对掺杂影响的测量不再有效. 本研究将测量波段扩展到红外区域（2—20 μm），报道了利用红外椭偏光谱法测量经离子注入掺杂并高温退火的硅片掺杂层光学和电学性质的方法和结果. 通过建立基于Drude自由载流子吸收的等效光学模型，得到了杂质激活后掺杂层的杂质浓度分布、电阻率和载流子迁移率等电学参数，以及掺杂层的红外光学常数色散关系，分析了这些参数随注入剂量的关系并对其物理机理给予了解释. 研究表明，中远红外
