Tight binding studies on the electronic structure of graphene nanoribbons
石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究

在推导出的一般复式格子的π电子紧束缚能量色散关系的基础上，通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势，导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明：石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型（对称性及宽度）密切相关，所以通过控制几何构型，可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.