Analytic potential energy function of the SiH2(C2v, X1A1) radical using CCSD(T) theory in combination with quintuple correlation-consistent basis set
用耦合簇理论及相关一致五重基研究SiH2(X1A1)自由基的解析势能函数

运用单双迭代三重激发耦合簇理论和相关一致五重基对SiH2的基态结构进行了优化, 并在优化结构的基础上进行了离解能和振动频率的计算. 结果表明: SiH2的基态为C2v结构, 平衡核间距RSi—H= 0.15163 nm, H—Si—H键的键角α=92.363°, 离解能De（HSi—H）=3.2735 eV, 频率ν1（a1）=1020.0095 cm-1, ν2（a1）=2074.8742 cm-1, ν3（a1）=2076.4762 cm-1. 这些结果与实验值均较为相符. 对H2的基态使用优选出的cc-pV6Z基组、对SiH的基态使用优选出的aug-cc-pV5Z基组进行几何构型与谐振频率的计算并进行单点能扫描, 且将扫描结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数. 与实验结果及其他理论计算结果的比较表明, 本文关于SiH自由基光谱常数（De,Re, ωe, Be, αe和ωeχe）的计算结果达到了很高的精度. 采用多体项展式理论导出了SiH2（C2v, X1A1）自由基的解析势能函数, 其等值势能图准确再现了它的离解能和平衡结构特征. 同时还给出了SiH2（C2v, X1A1）自由基对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点, 对应于SiH+H→SiH2反应, 势垒高度为0.5084 eV.