Single electron pumping at higher frequency in a novel semiconductor-based quantum dot device
一种新型的高频半导体量子点单电子泵

除了直流负电压外，还在浅法刻蚀出的GaAs/AlGaAs量子线上的两个金属指形门上分别叠加两个相位相差π的正弦信号，从而对形成量子点的两个势垒作不等幅调制.在无源漏偏压的情况下，通过周期形成的量子点实现了单电子的搬运.由于新的半导体量子点单电子泵不是依赖库仑阻塞效应通过隧穿进行单电子输运，因此，该器件就不会受到固定隧穿时间引起的低工作频率限制.在1.7K温度下，频率达到3GHz仍然可以观测到量子化电流平台，对应的电流值达到0.5nA量级.这种新器件提供了实现高速度、高精度搬运单电子的另一种可能途径.