Molecular dynamics simulation of shock-induced collapse in single crystal copper with nano-void inclusion
冲击条件下含纳米空洞的单晶铜的塌缩

利用分子动力学方法研究了单晶铜中不同大小的球形空洞在冲击波下的演化过程.模拟结果表明不同大小空洞的塌缩过程不同.模拟中冲击波由空洞左边扫向空洞右边.在较大尺寸的空洞塌缩过程中会产生系列的位错环.当空洞半径较小时，先在空洞的右侧形成位错环，当空洞半径增大到某一临界大小时，在空洞左右两侧同时产生位错环，当空洞半径较大时，先在空洞左侧形成位错环.当空洞左右两侧的位错环均形成以后，其右侧位错环前端的生长速度大于其左侧的.空洞半径增大，相应的位错环前端的生长速度变化不大.当空洞半径增大时，空洞中心指向位错源的矢量方