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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2006 

Influence of the stress on the transport behavior of La0.83Sr0.17MnO3 film
应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

Keywords: single crystal silicon,lattice parameter,metal-insulator transformation temperature,stress-induced
单晶硅
,晶格常数,金属-绝缘体转变温度,应力诱导

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Abstract:

采用溶胶.凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R-T曲线、红外光谱和x射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉:根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,600cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属一绝缘体转变温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系.认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主要原因.

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