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物理学报 2006
Preparation and thermoelectric properties of Ti1-x(Hf0919Zr0081)xNiSn
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Abstract:
采用固相反应法合成了单相的Ti1-x(Hf0.919Zr0.081) xNiSn (x＝0.00—0.15)，并用放电等离子烧结方法制备出密实块体材料. 研究 了Hf和Zr同时在Ti位上的等电子合金化对Ti基半Heusler化合物热电性能的影响规律. 结果 表明：少量的Hf和微量的Zr在Ti位上的等电子合金化，显著地降低了体系的热导率κ，同时 显著地提高了体系的Seebeck系数α. 组成为Ti0.85
