Effect of N-doping on the microstructure and properties of amorphous SiC:H diffusion barrier films
N掺杂对a-SiC:H基介质扩散阻挡层结构及性能的影响

用射频等离子增强化学气相沉积技术（RF-PECVD）制备非晶碳化硅（a-SiC:H）和不同掺氮量的碳化硅基（a-SiCNx:H）介质薄膜.采用傅里叶红外光谱（FIRT）,X射线光电子谱仪（XPS）,纳米压入仪（Nano IndenterA○R-XP），Agilent 4294A高精度阻抗分析仪，俄歇能谱仪（AES）和场发射高分辨透射电镜（HRTEM）表征氮掺杂对碳化硅基薄膜化学键组成、微观结构、机械性能、介电常数和阻挡铜扩散性能的影响.实验结果表明：通过控制薄膜的氮含量可实现其介电常数在38—52范围内可调.随着反应源中氨气（NH3）流量的增加，碳化硅基薄膜中Si—N和C—N化学键比例增加以及由此导致的薄膜微观结构致密化是氮掺杂显著提高碳化硅基薄膜机械性能、热稳定性和阻挡铜扩散性能的机理.