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Keywords: InGaAs量子点,带内跃迁,八带k·p理论
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根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1
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