Virtual-crystal doping study in novel superconductor MgCNi3
新超导体MgCNi3的虚晶掺杂研究

用全势线性缀加平面波方法,考虑局域自旋密度近似研究虚晶掺杂MgCNi3的超导电性和磁性.计算了自旋极化能带结构、体弹性模量和它对压力的导数、原子磁矩m及其变化率.计算结果表明，对于电子掺杂的Mg1-xAlxCNi3(0≤x≤0.5)，超导电性和磁涨落随掺杂量的增加逐渐减小.空穴掺杂的Mg1-xNaxCNi3,在x＝0.12处出现铁磁相变，超导电性消失.在MgCNi3少量空穴掺杂区域(0≤x<0.12)，表现为超导与磁涨落共存的不稳定状态.