Poly-SiGe films prepared by metal-induced growth using UHVCVD system
金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜

采用金属Ni诱导与超高真空化学气相沉积(UHVCVD)相结合的方法,在热氧化硅衬底上生长了多晶锗硅薄膜.利用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)等对多晶锗硅薄膜的质量、表面形貌进行了测试分析,并就生长参数以及金属Ni对薄膜性能的影响进行了研究.结果表明:1)在420-500℃范围内,金属Ni具有明显的诱导作用;2)Ni层厚度对薄膜质量及形貌的影响使得晶粒尺寸随Ni厚度增加存在一极大值.在Ni层厚度为60nm时,能够获得晶粒尺寸均匀,晶粒大小为500-600nm,结晶质量良好的多晶锗硅薄膜.