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物理学报 2006
Study on the annealing of Cd1-xZnxTe in In vapor
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Abstract:
为了满足辐射探测器件的需要，将生长得到的Cd1-xZnxTe晶体在In 气氛下进行退火处理能有效提高晶体的电阻率等性能. 退火处理过程的实质是一个扩散过程 ，因此研究扩散系数与Cd1-xZnxTe晶体的性能特别是电阻率变化之 间的关系具有重要的意义. 建立了退火处理过程中Cd1-xZnxTe晶体 材料电阻率及导电类型变化与杂质的扩散系数之间关系的模型.结合实验数据，获得了10
