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物理学报 2005
掺杂半导体β-FeSi2电子结构及几何结构第一性原理研究Keywords: 第一性原理，,电子结构，,热电性能，,FeSi2 Abstract: 采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性缀加平面波法，使用广义梯度近似处理交换相关势能，首先计算了β-FeSi2的电子结构及其各元素各亚层电子的能态密度，β-FeSi2的电子能态密度主要由Fe的d层电子和Si的p层电子的能态密度确定；其次通过计算不同掺杂系统的总能量确定了掺杂原子在β-FeSi2中的置换位置，在β-FeSi2中，Co置换FeⅡ位置的Fe原子，Al置换SiⅠ位置的Si原子，这种择位置换与现有的计算结果完全一致；最后计算了Fe1-xCoxSi2和Fe(Si1-xAlx)2的电子结构，对它们的电子结构特征进行了分析，并探讨了电子结构对其热电性能(塞贝克系数、电传输及热传输性能)的影响.
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