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物理学报 2000
STRUCTURE AND FERROELECTRICITY OF Ba0.8Sr0.2TiO3 THIN FILMS PREPARED BY A MODIFIED SOL-GEL PROCESSING
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Abstract:
采用0.05mol/L的前驱体溶液,利用溶张胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜。X射线衍射分析表明,制得的BST薄膜室温下呈四方相,场发射扫描电子显微观测显示BST薄膜表面平整、致密、无裂纹出现,薄膜晶粒呈柱状结构、尺寸在150nm左右。电学测量表明制备的BST薄膜室温下具有优良的铁电性能。薄膜的剩余极化Pr约为3.5μC/cm^2,矫顽电场Ec约为5