AB INITIO STUDIES ON THE ELECTRONIC STRUCTURES OF METALLOCARBOHEDRENE Hf8C12 CLUSTER
Hf8C12金属碳多面体电子结构的从头计算研究

用赝势从头计算方法研究Hf8C12多面体．先对T和Td分子构型作几何优化，发现Td对称构型比T构型稳定．利用非限制的Hartre Fock方法及自然键轨道分析研究Td构型的Hf8C12基团，结果表明：Hf8C12存在三种自旋不同的基态，这种基态的多样性与成键机制、电子组态和电子能谱分布密切相关．其中S=0时，Hf8C12主要是由外四面体Hf原子与类乙烯C2单元形成极性共价键构成．S=1时，6个类乙炔C2单元吸附在Hf8金属框架．S=2时，部分C2中的ｐπ键断裂与Hf原子形成ｄ←ｐπ键．进一步分析发现，Td对称性的结构模型为(Hf8)+4.5(C-0.752)6，在高自旋态下具有铁磁性，电子能级分布及其能隙随自旋态而变化．