Time-resolved photoluminescence spectra study of ordered Ga0.52In0.48P alloys
三元有序合金GaxIn1-xP(x=0.52)的时间分辨谱

在室温和低温下，测试了有序Ga0.52In0.48P的时间分辨光致发光谱。对实验结果的分析表明，有序GaInP的发光呈双指数规律衰退。室温下，快过程的时间常数在128－250ps范围,低温77K下则都有所变慢，大约在186－564ps范围内，慢过程的时间常数数据不同样品有很大差异，室温下大约有308－1832ps之间变化，低温77K下，则有纳秒量级，最长的甚至达到28ns以上。对两个过程的时间常数随激发功率密度变化的研究表明，快过程对应于有序区域中载流子的复合，慢过程则对应于有序区域和无序区域的空间分离中心上的载流子的复合。低温下的时间分辨谱表明，发光峰随着延迟时间的变长而蓝移。