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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2004 

Study on the interface of an organic semiconductor grown on Ru (0001) surface
有机半导体在金属Ru(0001)上的界面特性研究

Keywords: organic semiconductor material,ruthenium surface,electronic structure
有机半导体
,价带电子态,钌表面,费米能级,电子轨道

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Abstract:

利用UPS与ARUPS对有机半导体材料5-(N-正丁基-3,4,9,10-苝四甲酸亚酰胺-N’-苯基)-10,15,20-三苯基卟啉在Ru(0001)上的界面特性进行了研究.研究结果表明,在Ru(0001)表面上,与有机半导体材料价带电子轨道有关的谱峰分别位于费米能级以下4.5,6.8和9.2eV处,其最高占据态(价带顶位置)位于费米能级以下1.5eV处.在村底温度低于200℃时,该有机半导体材料能够在Ru(0001)上稳定吸附,在Ru(0001)上的脱附开始于在200℃.ARUPS结果显示,构成该材料分子的卟啉和苝两个稠环不在同一个平面内,即该材料分子中的两个稠环平面成一定的夹角至小右一个稠环平而与衬底表面不平行。

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