PHOTOLUMINESCENCE STUDY ON HYDROGENATED NANO-CRYSTALLINE SILICON FILM
纳米硅薄膜的光致发光特性
Keywords: PL谱,晶粒尺寸,纳米硅,薄膜,光致发光谱
Abstract:
用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si∶H)薄膜.讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响.用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si∶H的PL.研究了PL谱的温度特性.温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级.
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