INVESTIGATION OF THE Cr2+(3d4) IN GaAs UNDER HYDROSTATIC PRESSURE AND AlAs ALLOYING
流体静压下AlAs合金化的GaAs中Cr2+(3d4)杂质态的理论研究

本文将一个自旋极化的紧束缚格林函数方法发展到用于流体静压和合金下GaAs:Cr2+(3d4)杂质态的研究。文中给出了GaAs:Cr2+系统5E激发态和5T2基态受主能级随压力和AlAs合金成份的变化趋势。理论证明了在一定的压力和Al成份下,5E激发态将从导带底进入带隙,原在通常条件下观察不到的5E→5T