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ISSN: 2333-9721
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物理学报 2001

ATLEED研究6H-SiC(0001)-(√3*√3)R30o重构表面

邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤

Keywords: 表面重构,表面终止状态,LEED,碳化硅,半导体

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