THEORETICAL STUDIES ON THE VALENCE-BAND OFFSETS AT STRAINED SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究

对处于不同应变状态下的超晶格（ＧａＰ）１（ＧａＡｓ）１（００１），（ＩｎＰ）n（ＩｎＡｓ）n（００１）（ｎ＝１，３）的电子结构进行了从头自洽计算。采用冻结势方法分析了超晶格各分子层的价带顶Ｅv和平均键能Ｅm的行为，对以Ｅm为能量参考的应变层超晶格价带边不连续值计算方法作了较全面的第一原理的数值检验，基于这一方法，本文分别对ＩｎＰ，ＩｎＡｓ，ＧａＰ，ＧａＡ