MULTIPHONON ABSORPTION IN InP
InP的多声子红外吸收

利用高分辨的傅里叶光谱仪,在400—4000cm-1和11—300K范围内,观察到一些其吸收系数为10-1cm-1的新弱吸收峰,频率位置为996,965,932,838,806,776,742,718,590,558,538cm-1。从这些弱吸收峰的频率位置和温度依赖关系,可以认为它们是由于三声子的晶格吸收过程所引起的。对此,我们做了适当的指认。此外,我们首次利用红外吸收法证实,LEC(B2O3)-CZInP单晶存在B玷污,其玷污量大约是1016cm-3。