STATISTICAL TEEORY OF IMPURITIES AND DEFECTS IN a-Si:H
a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论

本文对a-Si:H中掺杂和缺陷机制提出了一个多能级模型,并应用了统计物理学的方法计算了a-Si:H的掺杂效率η。所得结果,不仅包括了street等人在此问题的全部讨论,而且还区分了重掺杂与轻掺杂有所不同,轻掺杂时的η与正常情况讨论一致,只有重掺杂时才出现η∝?-1/2规律。