Si(111)7×7清洁表面的总电流谱

用自制的总电流谱仪对Si(111)7×7清洁表面进行了测量,得到A,B,C,D四个谱峰的能量位置分别在真空能级以上2.6,5.2,8.6和12.9eV。样品饱和吸氢后表面峰A消先。用带间跃迁模型对实验结果作了初步分析。