|
|
物理学报 1997
EXAMINING THE IN PLANE POLARIZED INTERCONDUCTION SUBBAND TRANSITION USING GENERALIZED PLANE WAVE METHOD
|
Abstract:
把平面波展开包络函数的方法推广到求解8带的哈密顿量，使它同时包括Γc1和Γv15．在这种方法里，可以考虑反演不对称性、能带的非抛物性、有效质量不连续性以及自旋轨道耦合等效应的影响．作为应用，计算了两个量子阱结构的子带和光跃迁概率．实验上在这两个结构中观察到了平面内极化的电子子带跃迁．计算表明这种跃迁的概率很小．实验上观察到的平面内极化的电子子带吸收可能有其他的机制
