LOCALIZATION OF THE COMPONENT ATOM DEPTH-PROFILES IN Al-Sn ALLOY SURFACE LAYER
Al-Sn合金表面元素深度分布的局域性

利用微束卢瑟福背散射能谱（Ｍ－ＲＢＳ）分析方法，对Ａｌ70Ｓｎ30合金表面的两种微相区（Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区），在２７ｋｅＶＡｒ+离子轰击（总剂量为１.４×１０18Ａｒ+／ｃｍ2）前后，分别测定了Ｓｎ原子的深度分布。实验结果表明，在Ａｌ富集相区和Ｓｎ富集相区之间，以及各相区在离子溅射前后，Ｓｎ原子浓度深度分布曲线是不相同的。