THE SPIN-RESONANCE OF DONOR ELECTRON IN Ge AND ANISOTROPIC LINE WIDTH
Ge中束缚施主电子的自旋共振及其各向异性线宽

本文利用Ge中浅施主杂质的有效质量波函数,计算了束缚电子的等效自旋哈密顿量,得到在没有外压力及内应力情况下,仅当Ge的导带极值偏离(2π)/α111]点时,共振频率才是各向导性的。指出通过电子-核双共振实验可能较确切的判断Ge中导带极值的位置。利用畸变势理论及微扰论,计算了在一般缓变的非均匀内应力作用下,共振频率及自旋共振线宽随磁场方向的各向异性变化。最后具体计算了在以拉伸法生长的晶体中和在弯曲的范性形变下,在最主要的位错类型(211]方向刃型及110]方向螺型位错)应力场作用下自旋共振线宽的非均匀加宽,指出对于不同类型及不同取向的位错有不同的各向异性线宽。与Wilson的实验结果比较,我们得到当位错密度小于104εcm-2时,位错应力不是形成线宽的主要原因,当磁场在不同的(110)平面内旋转时,线宽将有相似的各向异性。当位错密度大于105εcm-2时,位错应力对线宽的贡献是主要的。这很容易由实验判断。