INVESTIGATION ON THE EXPONENTIAL FACTOR OF Ic-VBE CHARACTERISTICS OF TRANSISTOR AT LOW INJECTION LEVEL
小注入下晶体管Ic-VBE特性的指数因子的研究

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Abstract:

本文讨论了影响小注入下晶体管的lc-VBE特性的各种因素。作者发现发射结势垒区准费米能级降落的影响对于解释实验中发现的n*≡d(VBE/VT)/dInlc<1的情况是重要的。文中也给出了精确测量集成晶体管对的n*值的差分方法。

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