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物理学报 1979
THE BLOCKING EFFECT OF Si, GaAs AND LiNbO3 SINGLE CRYSTALS
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Abstract:
我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ1/2值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ1/2值。