THE INFLUENCE OF THICKNESS, APPLIED ELECTRIC FIELD AND MEDIUM TEMPERATURE ANNEALING ON THE ACTIVATION ENERGIES FOR CONDUCTIVITY OF a-Si:H
厚度、中温热处理和电场对a-Si:H的电导率激活能及其转折点的影响

本实验测量了一系列不同厚度的掺杂的n型非晶硅样品。每个样品的电导率-温度曲线在室温以上都出现三个激活能和两个转折点。180—250℃的热处理能引起转折点的位置向高温移动。样品越薄移动的距离越大。而在极薄的样品中,此种移动甚至在室温下自发产生。改变测量电压Vs会引起中温和高温激活能的变化。电场的这种影响在厚样品中显得很强,随着样品的减薄而转弱。本文还讨论了解释这些现象的模型。并用计算机描图等方法进行了比较成功的验证。