Si(111)4×1-In表面上铟原子的粘着系数随温度的突变现象

用AES和RHEED研究铟原子在Si(111)4×1-In结构表面粘着系数与温度的关系。在110℃以下,几乎为零的铟原子的粘着系数是由于4×1-In结构的原子排列使表面呈现价键饱和状态所致;在110—120℃温区内发生的粘着系数的阶跃变化可以用表面熔化所导致的有序-无序的相变模型来解释;高于120℃,粘着系数始终接近于1。