THE BEHAVIOR OF DEEP LEVEL WAVEFUNCTIONS IN SHALLOW ENERGY REGION
半导体短程势深能级在浅能区的波函数行为

本文对短程缺陷势深能级在能量趋向禁带边缘时波函数的行为作了研究。当深能级能量与禁带边能量差ε很小时,在一定的能量和对称性条件满足下,波函数在k空间向极值收缩而在实空间扩展。本文发展了一种方法可有效地用于ε很小时的波函数数值计算。对于靠近导带的A1态波函数,对于出Si,当ε小于2meV时,开始显著地在k空间收缩;对于GaAs,直至ε=0.1meV还未发生显著收缩。发生显著收缩对应的ε值与有效质量以及缺陷态和能带边波函数对称性匹配度有灵敏的关系。对于靠近价带顶的A1态,由于与价带顶对称性不匹配,不发生k空间收缩现象。