THE HYPERFINE INTERACTION BETWEEN NUCLEONS AND HOLES OF SILICON, AND THE NUCLEAR MAGNETIC RELAXATION IN THE p-TYPE SILICON
硅中空穴与核的超精细作用及p型硅的核磁弛豫

本文把半导体中载流子和它的原子核的超精细作用(包括非接触项)表达为作用在有效质量波函数上的“准接触作用”。具体对硅中Si29核和价带空穴的这个作用可表达为{S1(Jxμnx+Jyμny+Jzμnz)+S2(Jx3μnx+Jy3μny+Jz3μnz)}δ(r-rn),参量S1、S2是联系着价带顶的波函数的一些积分;一般地S2≈0。用它来处理了p型硅中Si29核的核自旋弛豫,得到弛豫时间的表达式;从弛豫时间的实验值估计了S1的值;还从价带自旋轨道分裂值估计了同一参量。