Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
蓝宝石衬底上使用氮化硅钝化的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制与特性分析

本文研制了高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管并进行了特性分析。诸如氮化铝插入层、氮化硅钝化、高宽窄比的T型栅、减小欧姆接触电阻和缩短漏源距离等技术被用于提高器件性能。使用半导体参数分析仪和矢量网络分析仪分别对前制器件的直流和交流特性进行了表征。所得80nm栅长的器件其最大漏极电流密度为1.41A/mm，该结果为到目前为止国内文献报道的最大值。同时测得峰值跨导为317mS/mm，特征频率为74.3GHz，最高振荡频率为112.4GHz。