A SiGe BiCMOS multi-band tuner for mobile TV applications
一种基于锗硅双极CMOS工艺的多频段移动电视调谐器芯片

本文给出了一种应用于多频段移动电视调谐器的射频芯片的设计和测试结果。射频调协器由宽带射频前端电路,模拟基带电路,全集成的小数频率综合器和I2C数字接口电路组成。为了满足移动电视标准苛刻的临道抑制指标,同时兼顾低功耗、低成本的要求,本设计采用了带局部自动增益控制的直接下变频接收机方案。为进一步提高临道抑制的性能,基带频道选择滤波器采用了8阶椭圆有源RC的结构,具有阻带衰减高和过渡带极陡的特点。射频调协器芯片采用0.35 μm锗硅双极CMOS工艺制成,硅片面积为5.5 mm2。芯片采用3.0V单电源供电,消耗50mA电流。在CMMB应用中,系统灵敏度达到-97 dBm,临道抑制优于40 dB。