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流体静压力下窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe电学性质的研究

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本工作在 0-15kb的流体静压力范围内及 196 K和283-383K的温度下,测量了n-Hg_(1-x)Cd_xTe(0.05≤x≤0.25)电子浓度及电阻率随压力的变化n(p)和ρ(p).由实验值n(p)计算了禁带宽度E_g和费米能级E_f随压力的变化,并同利用化学键的介电理论和虚晶近似计算得到的(dE_g)/dP(x)进行比较.再将上述结果E_g(P)和E_f(P)作为基本变量,考虑极性光学(P.O.)声子散射和带电中心散射,计算了本实验条件下n-Hg_xCdxTe的迁移率和电阻率随压力的相对变化曲线,并同实验结果加以比较.

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