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用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级
林和,汤定元
红外与毫米波学报 , 1988,
Abstract: 用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195~0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。
用交流热激电流研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的深能级  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1988,
Abstract: 用交流热激电流(ATSC)方法研究了x=0.195~0.275的窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe半导体中的深能级,讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的物理性质。实验表明交流热激电流方法(ATSC)是研究窄禁带Hg_(1-x)Cd_xTe深能级的一种有效方法。
Capacitance-Voltage Characteristics of P-N Junction of the Narrow Band-Gap Semiconductors Hg_(1-x)Cd_xTe
窄禁带半导体Hg_(1-x)Cd_xTe P-N结的电容-电压特性曲线

Lin He/,
林和
,汤定元

半导体学报 , 1988,
Abstract: The measuring technique of capacitance is improved so that the capacitance of P-N junc-tion with low resistance can be made.The measurements of the C-V characteristic of P-N junc-tion of Hg_(1-x)Cd_xTe (0.195
零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的输运特性
梁勇,郑国珍
红外与毫米波学报 , 1984,
Abstract: 对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时,杂质或缺陷能级将进入能带,对受主形成受主共振态。在4.2~300K温度范围内,我们测量了零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料输运参数随温度的变化关系,发现在nT~(-3/2)-1/T曲线上有一个明显的转折点,对应的温度和组份与褚君浩等
零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的输运特性  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1984,
Abstract: 对零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料的物理性质,近来有了比较多的研究。因为这些材料将出现半导体、半金属相变,同时,当禁带趋于零时,杂质或缺陷能级将进入能带,对受主形成受主共振态。在4.2~300K温度范围内,我们测量了零禁带附近Hg_(1-x)Cd_xTe材料输运参数随温度的变化关系,发现在nT~(-3/2)-1/T曲线上有一个明显的转折点,对应的温度和组份与褚君浩等
Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件电学特性的研究
黄河,童斐明
红外与毫米波学报 , 1984,
Abstract: MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的电学特性进行了研究。对Hg_(1-x)Cd_xTe材料表面作适当的物理化学处理之后,利用阳极氧化的方法,在Hg_(1-x)Cd_xTe衬底上生长一层阳极氧化层(厚约600~1200(?)),再利用蒸发或溅射方法在阳极氧化层上淀积一层介质ZnS(厚约1000~2000(?)),组成双层介质结构。而金属栅电极则通过蒸发金属
窄禁带半导体的自由载流子吸收  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1991,
Abstract: 从理论和实验上研究了77K和300K温度下,本征型半导体InSb,Hg_(1-x)Cd_xTe,Hg_(1-x)Mn_xTe和高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe在2.5~50μm波段范围内的自由载流子吸收,结果表明:对于所研究的三种本征型样品,均是极性光学声子散射起主要作用,对于InSb还应考虑声学声子和电离杂质散射。对有缺陷的Hg_(1-x)Mn_xTe样品,理论计算的自由载流子吸收系数与实验值不一致,表明存在附加的散射机制,对高掺杂Hg_(1-x)Cd_xTe的研究证实了这一假设。还讨论了非弹性电子-声子散射机制的起因,估算了特性参数。
简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)
褚君浩
红外与毫米波学报 , 1985,
Abstract: 本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77~300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。
简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应(详细摘要)  [PDF]
红外与毫米波学报 , 1985,
Abstract: 本文讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe窄禁带半导体在费密能级筒并情况下,本征载流子浓度计算公式的应用,并计及导带电子浓度的非抛物带修正因子,计算了简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级。本文还在77~300K温度范围内测量了组份为x=0.165、0.170、0.194的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品的本征吸收光谱,观察到明显的Burstein-Moss移动。实验所得光学禁带宽度与费密能级计算结果一致。
Hg_(1-x)Cd_xTe三元半导体的禁带宽度
褚君浩
科学通报 , 1982,
Abstract: 三元系Hg_(1-x)Cd_xTe(0≤x≤1)随着x的增大由半金属转变成半导体,半导体的禁带宽度E_g既是发展红外探测器的基本参数,又是能带结构研究中必须由实验来确定的两个最基本的参数之一(另一个是电子有效质量m~*或动量矩阵元P),因而它与组分x和温度T的关系是一个特别重要的问题,有过不少的研究报道。
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