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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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AlGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band
基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

Keywords: AlGaN/GaN HEMTs,power combining,MIC,power amplifiers
AlGaN/GaN
,HEMT,功率合成器,混合集成电路,微波功率放大器

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Abstract:

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.

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