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ISSN: 2333-9721
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RF-CMOS Modeling:RF-MOSFET Modeling for Low Power Applications
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发

Keywords: low voltage low power,RF-MOSFET,modeling,EKVv2,6,RF parasitic,analytical extraction
低压低功耗
,RF-MOSFET,建模,EKVv2.6,射频寄生,解析提取

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Abstract:

在EKVv2.6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOS RFIC CAD 的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(Chartered Semiconductor Manufacture Ltd)0.25μm RF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0.24μm,宽W=9.58μm)n-MOSFET 建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.

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