Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequency compensation
采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器

本文提出了一种全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器（LDO）新结构。利用提出的自适应频率补偿（AFC）技术，该LDO在保持零到最大负载电流情况下稳定的同时，实现了全片上集成。与此同时，因为采用了一个小型的传输管（在AFC技术中该小型传输管起到使输出级增益快速下降的作用），LDO的面积得到了很大的优化。该LDO在CMOS 0.35μm工艺下流片，仅占用了220×320μm 的芯片面积。这与采用相同特征尺寸工艺的先进设计相比面积缩减至58%。测量结果表明，该LDO在消耗54μA 静态电流的情况下能提供0-60mA 的负载电流。同时，在输入电压为2至3.3V时，稳压输出为1.8V。