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ISSN: 2333-9721
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Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs
0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟

Keywords: CMOS,RF,small signal model,parameter extraction
CMOS,射频,小信号模型,参数提取

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Abstract:

采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作. 对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试，测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz, fmax超过了90GHz. 采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟. 在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.

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