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物理学报 2000
MONTE CARLO SIMULATION OF ELECTRON TRANSPORT IN 6H-SiC
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Abstract:
从实际测量和单粒子Monte Carlo模拟两个方面研究了6H-SiC的电子输运规律，在模拟中考 虑了6H-SiC主要的散射机理，模拟的结果体现了6H-SiC具有良好的高温和高场特性以及迁移 率的各向异性，其横向迁移率和纵向迁移率相差近5倍.模拟结果和实验数据的对比说明了对 6H-SiC输运特性的模拟是正确的.
