硅薄膜的恒电位诱导组装法制备及光学性能

本文采用恒电位诱导组装法，在40℃、2.5V恒电位条件下，在FTO导电玻璃上制备出硅薄膜，并分别通过循环伏安曲线（CV）、红外光谱仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对硅薄膜的生长条件、结构、形貌和光学性能进行了系统研究。结果表明，只有当溶液中用于模板剂的十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）的浓度高于其临界胶束浓度并且在一定的正硅酸四乙酯（TEOS）浓度时，才可以得到岛粒状的硅薄膜。由荧光光谱可知，组装成的硅薄膜经过焙烧，可生成氧缺位的SiOx薄膜，其中x≤2。由于氧缺位，在3.8 eV光的激发下有2.5 eV的光致发光