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ISSN: 2333-9721
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-  2013 

原位沉淀-焙烧法制备NiO/P-CNT复合材料及其电容性质

Keywords: 原位沉淀-焙烧法,聚吡咯衍生的碳纳米管,复合材料,比电容

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Abstract:

以聚吡咯衍生的碳纳米管作为载体,通过原位沉淀-焙烧相结合,合成了新型的氧化镍/聚吡咯衍生碳纳米管(NiO/P-CNT)复合材料。采用粉末X-射线衍射、热重、能谱、扫描电镜、透射电镜、循环伏安以及恒流充放电测试对样品进行表征和分析。结果表明:须状氧化镍均匀的负载在聚吡咯衍生的碳管表面,构成了具有三维网络结构的复合物。基于这种特殊结构的优势,该复合物在电流密度为2 A g-1下的比电容为382 F g-1,NiO在复合物中电容贡献为441 F g-1,而NiO的比电容为351 F g-1。经过400圈充放电后,复合物的比电容保持在90%以上,而NiO的容量保持率为82.6%。因此,该复合电极材料较NiO具有更高的比电容和更好的循环特性

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