9,9′-联蒽薄膜的AFM和XRD研究
Keywords: 9’-联蒽,表面形貌,生长模式,原子力显微镜
Abstract:
利用常规的真空蒸发技术,在热氧化硅片的衬底上制备了不同的衬底温度、蒸发温度和蒸发时间条件下的9,9′-联蒽有机薄膜。用原子力显微镜对制备的9,9′-联蒽薄膜形貌进行了观察,研究了9,9′-联蒽的生长模式,并讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长条件之间的机理。同时,借助X-射线衍射仪分析了薄膜的晶体结构。结果表明:在衬底温度为50℃、蒸发温度为180℃、蒸发时间为60s时能够获得具有良好晶体特性的均匀致密的多晶薄膜,其适合做有机场效应晶体管的有源层
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