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- 2018
16原子GaAs超胞中In替位式掺杂模型研究DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2018.08.030 Keywords: InxGa1-xAs,替位式掺杂,能带结构,对称性 Abstract: 对16原子GaAs超胞中In替位式掺杂的模型进行深入研究,发现当In掺杂比例从0～1变化时,具有256种掺杂方式,共计13种对称属性。研究还发现在相同掺杂比例下模型具有不同对称属性,同一对称属性对应不同掺杂比例。论文还对其中4种情况的态密度进行计算,计算结果显示In掺杂的比例是影响GaAs超胞物理性质的重要因素,而对称性对物理性质的影响可以忽略不计
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