用于非制冷热释电红外探测器的 PZT铁电薄膜研究

摘要： 采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜. 用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层, 在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜. 采用在450℃预退火, 575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理. PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能, 热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为ρ=2.3×10-8C．cm-2·K-1, ε =500, tanδ =0.02, F d=0.94×10-5Pa-0.5.