(Zr1-xMx)O2陶瓷的电导性能研究

摘要： 本文利用量子化学理论方法研究了含有不同金属（M=Y，Mg和Al）掺杂的ZrO2陶瓷体系的电子能谱和不同原子的局域态密度，并结合实验分析探讨了掺杂下的电子导电和离子导电行为．研究表明，Al掺杂体系费米能级附近的能隙较小，因而其电子导电能力强；而Al与O的结合较强，使O空位形成能加大，表现出其离子导电性弱．而Y掺杂与Al掺杂的情形相反，Y掺杂导致了较强的离子导电性，但电子导电性较弱．Mg掺杂的影响介于二者之间．以上结果与文献报道及经验一致．